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完成无荧光粉的单芯片白光发光二极管

来源:http://www.xyhngf.com 责任编辑:www.d88.com 更新日期:2018-09-25 09:14

  完成无荧光粉的单芯片白光发光二极管

   发光二极管在固态照明工程中占有重要的位置,在未来5-10年将逐步替代传统的照明灯具,成为节能、环保的新式光源。与传统的光源(白炽灯,日光灯,卤素灯等)比较,发光二极管光源具有许多长处,如长寿命,体积小,低功耗,低环境污染,高电光变换功率,适用性好和运用安全等。跟着GaN基III- V族化合物技能的开展和蓝光LED的完成,人们现已可以取得完成白光的三基色发光二极管。通常情况下,取得白光发光二极管的办法有:1)蓝光发光二极管+ 黄色荧光粉;2)多芯片组合,行将红,绿,蓝三个管芯结合在一起;3)光子循环完成白光发光办法;4)同一衬底上成长不同发光波长量子阱办法。可是上述几种取得白光的办法技能杂乱、制造本钱高、存在许多需求战胜的困难,因而人们一向致力于完成可以避开这些问题的单芯片白光发光器材,凯发娱乐网,并从理论上预言这种器材的可行性。海南-明星-彩站不差钱 -换装-LED但是,虽然GaN基的蓝、绿光发光二极管的技能日益老练和商品化,完成单芯片白光发光成为科学家的愿望。2006年,来自台湾地区的物理所陈弘研讨组选用InGaN的应力调制层,完成了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和操控,成功研制出单芯片白光发光器材。此办法不需求荧光粉,也不需求添加杂乱的操控电路,制备进程与一般发光二极管类似。在惯例的注入电流下(20mA-60mA),白光的显色指数简直不变。图一展现了不同注入电流下发光色彩的改变。图二展现了InGaN/GaN有源区的截面电镜像。

  


图一、不同注入电流下单芯片白光发光二极管的发光相片:(a) 1 mA, (b) 5 mA, (c) 20 mA, (d) 60 mA

  

  

图二、发光二极管InGaN/GaN 有源区透射电子显微镜截面图片

   电致荧光谱研讨标明在低电流下LED发射黄光。跟着电流添加大于20mA,蓝光强度逐步添加,出射光也逐步由偏黄光过渡到白光。透射电子显微镜截面图显现在InGaN 量子阱中形成了很多的富In量子点。在低注入电流的时分,载流子先被富In量子点抓获宣布黄光,跟着电流添加,量子点之外的量子阱区域开端抓获载流子,辐射复合之后发射出蓝光,蓝光与黄光混合发生白光。

   材料来历: Applied Physics Letters 91 ,161912(2007)
 

  

   白光发光二极管